TY - JOUR ID - 39276 TI - بررسی عددی میدان جریان و دما جهت بهبود انتقال حرارت نانوسیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی JO - مجله مهندسی مکانیک JA - MMEP LA - fa SN - 1605-9719 AU - نجفی, محمدرضا AU - شاطری, علیرضا AD - مربی، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه جامع امام حسین (ع)، تهران AD - استادیار، گروه مهندسی مکانیک، دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد Y1 - 2020 PY - 2020 VL - 29 IS - 1 SP - 59 EP - 65 KW - جابجایی توأم KW - محفظه C-شکل KW - میدان مغناطیسی KW - نانوسیال KW - عدد ناسلت DO - N2 - در این مقاله انتقال گرمای جابجایی توأم آزاد و اجباری در یک محفظه C-شکل حاوی نانوسیال به روش عددی بررسی شده است. این جریان از پایین محفظه وارد شده و از بالا خارج شده و دیوارهٔ در ارتباط با سیال در دمای Th در نظر گرفته شد. محفظه تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواختی قرار دارد. معادلات حاکم بر جریان از روش حجم کنترل و استفاده از الگوریتم سیمپل حل شده‌اند و میدان‌های جریان، دما و میزان انتقال گرما پیش بینی شد. بررسی‌ها به ازای تغییر اعداد ریچاردسون (Ri)، رایلی (Re)، هارتمن (Ha) و درصد حجمی نانوذرات در حالت دائم انجام شده است. نتایج این بررسی حاکی نشان داد با افزایش عدد رایلی از 103 به 105، بیشترین مقدار افزایش انتقال حرارت (افزایش مقدار تایع جریان) از 0.9 به 16.06 m2/s است ولی با افزایش عدد ریچاردسون از 0.1 به 10، بیشترین کاهش انتقال حرارت از 11.02 به 5.58 m2/s اندازه‌گیری شد. مؤلفه‌های مورد بررسی در پژوهش حاضر به صورت همزمان، در کارهای دیگر مورد توجه قرار نگرفته است. UR - https://mmep.isme.ir/article_39276.html L1 - https://mmep.isme.ir/article_39276_6c63df035d166726431209c443b6344f.pdf ER -